[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12a-N102-2] 窒化ガリウムのプラズマエッチング中その場分光エリプソメトリー観測

〇南 吏玖¹、石川 健治¹、堤 隆嘉¹、近藤 博基¹、関根 誠¹、小田 修¹、堀 勝¹ (1.名大)

キーワード：窒化ガリウム、プラズマエッチング

窒化ガリウム（GaN）を用いたパワーデバイスのプラズマエッチング工程において、エッチング厚さのナノスケール制御が要求される。その手段としてサイクルエッチングは有力であり、その現象把握のため、エッチング中のGaN薄膜の膜厚を実時間で観測することが望ましい。本研究では、ClラジカルとArイオンを交互に供給するGaNサイクルエッチング中の膜厚をその場分光エリプソメトリーを用いて解析した。