[12a-N102-1~9] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [12a-N102-7] Atomic Layer Etchingの吸着層が基板ダメージ生成に与える影響

〇平田 瑛子^1,2、深沢 正永¹、J. U. Tercero²、伊藤 智子²、礒部 倫郎²、唐橋 一浩²、浜口 智志²、釘宮 克尚¹、萩本 賢哉¹、岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ(株)、2.阪大院工)

キーワード：原子層エッチング、プラズマ、ダメージ

近年、超高選択比加工や低ダメージ加工を実現するために、ポリマーの表面吸着と脱離を繰り返すSiNのALE (Atomic Layer Etching)検討が行われている。今回はALEの脱離ステップで生成されるダメージに及ぼす吸着ステップの影響を評価した。ALEで生成されるダメージはDHF処理で除去されず、ダメージが残留しやすいことが明らかになった。発表では、表面解析とMD計算を用いて、ダメージ残留の表面反応モデルを報告する。