[12p-N206-1~19] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12p-N206-3] 高品質ルチル型GeO₂薄膜の結晶成長および構造解析

〇(M2)高根 倫史¹、柳生 慎悟²、四戸 孝²、金子 健太郎¹ (1.京大院工、2.(株)FLOSFIA)

キーワード：超ワイドバンドギャップ半導体、酸化物半導体、酸化ゲルマニウム

ルチル型(r-)GeO₂は次世代のパワーデバイス材料として期待されるものの、成長が極めて困難である。本研究では、そのr-GeO₂薄膜の成長および構造解析を行った。熱重量・示差熱測定による成長条件最適化の後、ミストCVD法を用いることにより、高い成長レートで高品質なr-GeO₂薄膜の成長に成功した。さらに得られたr-GeO₂薄膜について、XRD、TEM等を用いた構造解析を行った。