[18a-Z05-1~11] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[18a-Z05-7] KrFエキシマレーザーを用いた薄膜レーザードーピング法により形成されたn型4H-SiCのコンタクト特性及び結晶性評価

〇安並 拓磨¹、菊地 俊文^2,3、妹川 要³、中村 大輔²、池上 浩^2,3 (1.九大電情、2.九大シス情、3.ギガフォトンNextGLP)

キーワード：4H-SiC、レーザードーピング、KrF エキシマレーザー