[20a-C200-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20a-C200-5] RF-MBE法を用いたScAlMgO₄基板上GaN成長における成長初期過程の検討

〇和田 邑一¹、黒田 悠弥¹、後藤 直樹¹、藤井 高志¹、毛利 真一郎¹、出浦 桃子²、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.R-GIRO)

キーワード：ScAlMgO4、透過電子顕微鏡、窒化ガリウム

RF-MBE法を用いたScAlMgO₄（SAM）基板上へのGaN直接成長においては、貫通転位や立方晶GaNの混在が課題となっている。これらの原因解明を目的として、本研究では、成長初期過程に着目してSAM基板上にGaN極薄膜を直接成長、構造評価を行った。その結果、SAM基板直上においては六方晶GaNが二次元成長するが、膜厚の増加に伴い、成長様式が変化することが示唆された。