[20p-A406-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20p-A406-12] ミニマルファブSOI CMOSにおける完全空乏型と部分空乏型デバイスの特性比較

〇浜本 毅司¹、浦 伸吾³、松田 誠宙³、北山 侑司⁴、丸山 智史⁴、クンプアン ソマワン²、柴 育成⁴、土屋 忠明³、原 史朗² (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.ロジック・リサーチ、4.横河ソリューションサービス)

キーワード：SOI

ミニマルファブは多品種少量生産をターゲットとした生産システムである。このミニマルファブでのデバイス適応実績としては、カンチレバーに代表されるMEMSデバイス、CMOSおよびそれを用いたオペアンプなどが試作されてきた。今後は、PDKを作成し、MOSFETの動作精度向上、プロセスロバスト性確保に注力する段階となっている。SOI CMOSの動作モードは完全空乏型と部分空乏型の2種類がある。今回、この2種類の動作モードでのNMOS特性を比較し、それぞれの長所を明らかにした。