[20p-B201-1~16] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-B201-7] スパッタ法によるAlN/Al_xGa_1-xNヘテロ構造への高濃度縮退n⁺-AlGaN (d-AlGaN) オーミックコンタクトの形成

〇(D)前田 亮太¹、西川 祐人¹、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋¹ (1.東大生研)

キーワード：AlGaN、窒化アルミニウム、スパッタリング

次世代高耐圧高出力電子デバイスとして、AlGaN混晶中に誘起される二次元電子ガスを利用した高電子移動度トランジスタ(AlGaN HEMT)が期待されている。しかしながらAlGaNチャネル層の電子親和力はAl組成の増加に伴い小さくなるため、低抵抗のオーミック接触形成が困難である。本研究では、AlGaN HEMTの接触抵抗の低減に向けて高濃度Si添加n型AlGaN薄膜の位置選択的再成長エピ技術について検討を行った。