[21a-C301-1~10] 3.12 半導体光デバイス（旧3.13）

[21a-C301-3] 直接貼付InP/Si基板上GaInAsP SCHーMQWレーザの井戸層厚と閾値電流密度に関する検討

〇矢田 涼介¹、阿形 幸二¹、伊藤 慎吾¹、趙 亮¹、青木 彩絵¹、下村 和彦¹ (1.上智大工)

キーワード：量子井戸レーザー、MOVPE、Si基板

直接貼付InP/Si基板上とInP基板上にMOVPE法で結晶成長させた1.5μm帯 GaInAsP SCH-MQWレーザの井戸層厚変化による閾値電流密度依存性について報告します。