[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-3] 酸化抑制プロセスによって形成した高品質4H-SiC(1120)/SiO₂界面の低温特性評価

〇三上 杏太¹、立木 馨大¹、金子 光顕¹、木本 恒暢¹ (1.京大院工)

キーワード：SiC MOSFET、MOS界面、界面準位

我々は新規MOS構造形成手法(酸化抑制プロセス)によって、チャネル移動度を劇的に向上可能であることを報告した。しかし界面準位低減量は未知であるため、低温測定によって低減量を推定した。その結果、界面準位をSi、A面で半分以上低減できることが分かった。酸化抑制プロセスで作製したA面MOSFET(アクセプタ密度:1×10¹⁸ cm⁻³)は100 Kで198 cm²/Vsという極めて高い移動度を示した。