[21a-M206-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

△ [21a-M206-4] 窒化後CO₂熱処理による4H-SiC(0001) CMOSデバイスの性能向上

〇國吉 望月^1,2、Kidist Moges¹、小林 拓真¹、細井 卓治³、志村 考功¹、立木 馨大⁴、木本 恒暢⁴、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.アルバック協働研、3.関学大工、4.京大院工)

キーワード：SiC、CMOS、CO2

信頼性を担保した上でSiO₂/SiC界面特性を改善する手法としてCO₂熱処理がある。実際にNO窒化処理後にCO₂熱処理（CO₂-PNA）を行うことで、高い移動度と信頼性を両立できるが、これまでの検討はnMOSFETに留まっている。本研究では、SiO2/SiC構造にCO₂-PNAを行ったn,pMOSFET、CMOSインバータ、リングオシレータを全て同一チップ上に作製し、電気的特性の評価を行った。