[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-14] 正圧電応答顕微鏡法によるHfO₂薄膜の分極ドメイン構造の観察 Ⅱ

〇萩原 拓永¹、トープラサートポン カシディット²、高木 信一²、藤村 紀文¹、吉村 武¹ (1.阪公大院工、2.東大院工)

キーワード：HfO2、分極ドメイン構造

分極ドメイン構造の観察は、強誘電体薄膜の基本的な特性評価の一つであるが、FeFETのゲート絶縁膜として用いるHf系強誘電体極薄膜のドメイン構造を圧電応答力顕微鏡(PFM)によって観察した場合、逆圧電応答とそれ以外の静電的な効果を区別するのが困難と指摘されている。本研究では、正圧電応答顕微鏡法(DPRM)によりHf系強誘電体の分極ドメイン観察に取り組んだ。