[22p-A307-1~17] CS.7 6.1 強誘電体薄膜、13.3 絶縁膜技術、13.5 デバイス／配線／集積化技術のコードシェア

[22p-A307-16] ITO上部電極の堆積が(Hf,Zr)O₂薄膜の結晶化へ及ぼす影響

〇(M2)尾内 惇平¹、藤沢 浩訓¹、中嶋 誠二¹ (1.兵庫県立大工)

キーワード：HZO、透明、ITO 上部電極

膜厚10 nm前後の薄膜でも良好な強誘電性を示すHfO₂系強誘電体は，大きな光学バンドギャップを有するため，我々は可視域で透明性の高い強誘電体薄膜として透明電子デバイスへの応用を検討してきた．これまでに反応性スパッタリングを用いた室温成膜により，膜厚5~40 nmの(Hf,Zr)O2膜の強誘電性発現を報告した．本研究では，ITO下部電極上へ熱処理せずに作製した (Hf,Zr)O2 (HZO)薄膜の結晶化に対するITO上部電極の影響について報告する．