[23a-B101-1~10] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[23a-B101-9] AlN and Al₂O₃ multiple gas barrier films fabricated by low-temperature atomic layer deposition

〇(D)Kentaro Saito¹, Kazuki Yoshida¹, Masanori Miura², Kensaku Kanomata², Bashir Ahmmad¹, Shigeru Kubota¹, Fumihiko Hirose¹ (1.Yamagata Univ., 2.ROEL Yamagata Univ.)

Keywords:atomic layer deposition, aluminum nitride, gas barrier film

窒化アルミニウム(AlN)は、AlGaN/GaN 高電子移動度トランジスターのパッシベーション層として期待される。パッシベーション層界面の固相反応を防ぐために、成膜温度の低温化が求められる。我々は、AlNの緻密性と耐水性を生かし、またAlNとAl₂O₃の交互積層とすることで迷路効果をもたせたバリア膜を検討した。本発表では、160℃での低温製膜で形成し、性能評価を行ったので報告する。