[24a-E103-1~13] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[24a-E103-10] ミニマルTSVめっき装置を用いたTSV埋め込みめっきのプロセス開発

〇釜崎 佳代¹、井関 伸至¹、居村 史人²、田中 宏幸²、大澤 孝治³、髙野 拓郎³、鐘堂 健三³、寺澤 靖雄³、クンプアン ソマワン^2,4、原 史朗^2,4 (1.熊本防錆工業、2.産総研、3.ニデック、4.ミニマルファブ)

キーワード：三次元集積、シリコン貫通電極、めっき

ミニマルファブにおいて、3次元集積チップの実現のために、ミニマルTSVめっき装置を開発した。これまで、ミニマルBGAパッケージのCu再配線RDL形成用のめっき装置については、レーザビア内へのコンフォーマル成膜の結果について応物発表してきた。今回、TSVめっきプロセスでの電流印加条件の違いについて評価を行ったので、報告する。