[25a-E104-1~10] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

△ [25a-E104-4] 窒化ガリウムの基板昇温時サイクルエッチング特性

〇南 吏玖¹、中村 昭平^1,2、谷出 敦²、石川 健治¹、堤 隆嘉¹、近藤 博基¹、関根 誠¹、堀 勝¹ (1.名大、2.(株)SCREENホールディングス)

キーワード：窒化ガリウム、プラズマエッチング、原子層エッチング

窒化ガリウム（GaN）パワーデバイ スの製造におけるナノスケールのエッチング深さ制御及びプラズマ照射ダメージの抑制には原子層エッチングが有力である。Ga 系反応 生成物に比べ窒素系反応生成物の蒸気圧が室温下では高いため、窒素の優先的脱離が生じる。高温下では蒸気圧の差が減少し、窒素の優先的脱離が抑制される。本研究では、ArプラズマとClラジカルの交互照射を高温下で行い、GaN膜厚の経時変化をその場分光エリプソメトリー（in-situ SE）を用いて実時間で解析した。