2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13.半導体A(シリコン) » 13.6 Siデバイス/集積化技術

[19p-C8-1~18] 13.6 Siデバイス/集積化技術

2013年9月19日(木) 13:15 〜 18:30 C8 (TC3 2F-201)

17:00 〜 17:15

[19p-C8-13] ソースドレイン直接トンネリングによるIII-V MOSFETの短チャネル化限界

○(M1)大森正規1,木場隼介1,前川容佑1,土屋英昭1,3,鎌倉良成2,3,森伸也2,3,小川真人1 (神戸大工1,阪大工2,JST CREST3)

キーワード:ソースドレイン直接トンネリング,III-V MOSFET,ウィグナーモンテカルロ