[20p-D3-1~6] 15.7 エピタキシーの基礎

[20p-D3-5] 側面に基板拘束のあるGaN_xAs_1-xナノワイヤの混和性に関する理論的研究

^○加藤真崇，秋山亨，中村浩二，伊藤智徳 (三重大院工)

キーワード：半導体,ナノワイヤ,原子間ポテンシャル