[27p-PB4-1~16] 13.5 Siプロセス技術

[27p-PB4-6] ウエットエッチングを用いたSiウエハ薄形化/貫通電極露出工程の開発 (1:30 PM ～ 3:30 PM)

^○渡辺直也¹，宮崎匠²，青柳昌宏¹，吉川和博^3,4 (産総研¹，プレテックAT²，アプリシア³，東北大院工⁴)

キーワード：ウエットエッチング, Siウエハ薄形化, 貫通電極露出