[18a-E10-1~10] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[18a-E10-8] InGaZnOを用いた透明導体の光学・電気特性

^○廣橋拓也¹，太田将志¹，石原典隆¹，野中裕介¹，山﨑舜平¹，片山正博²，三澤千恵子²，中鉢由佳²，羽持貴士²，岡崎健一²，肥塚純一² (半エネ研¹，AFD Inc²)

キーワード：InGaZnO