2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

15．結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

[18a-E11-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶

2014年3月18日(火) 09:30 〜 11:45 E11 (E205)

11:30 〜 11:45

△ [18a-E11-8] MOVPEによるSiO2/Si基板上InGaAsP量子井戸構造のInP埋込み成長

○藤井拓郎，佐藤具就，武田浩司，長谷部浩一，硴塚孝明，松尾慎治 (ＮＴＴフォトニクス研)

キーワード：エピタキシャル成長,直接接合,シリコンフォトニクス