2014年第61回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.5 Si-English Session

[19p-PG4-1~5] 13.5 Si-English Session

2014年3月19日(水) 16:00 〜 18:00 PG4 (G棟2階)

16:00 〜 18:00

▲ [19p-PG4-4] Type-II Staggered Hetero-Junction Tunnel FETs with Ge sources and Biaxial Tensile Strain Si Channels

○（D）金ミンス1,2，若林勇希1，中根了昌1，横山正史1，竹中充1,2，高木信一1,2 (The Univ. of Tokyo1，JST-CREST2)

キーワード：Tunnel FET,Hetero-Junction,Ge-source