2015年第62回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス » 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[11p-D1-1~17] 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年3月11日(水) 13:15 〜 17:45 D1 (16-101)

14:00 〜 14:15

△ [11p-D1-4] IGZO薄膜中の酸素空孔によるPLとドナー準位

〇(M1C)陳 東京1、森本 貴明1, 2、福田 伸子3、大木 義路1, 4 (1.早大先進理工, 2.学振DC2, 3.産総研 FLEC, 4.早大材研)

キーワード：IGZO、スピンコート法