〇(M2)Chaiyanan Kulchaisit¹, Haruka Yamazaki¹, Juan Paolo Bermundo¹, Mami Fujii¹, Masahiro Horita¹, Yasuaki Ishikawa¹, Yukiharu Uraoka¹ (1.Nara Inst. of Sci. and Tech.)

17:30 〜 17:45

▼ [11p-D1-17] Low temperature excimer laser annealing of a-InGaZnO thin-film transistors passivated by hybrid organic-inorganic passivation layer

〇(D)Juan Paolo Bermundo¹, Yasuaki Ishikawa¹, Mami Fujii¹, Michiel van der Zwan², Hiroshi Ikenoue³, Ryoichi Ishihara², Toshiaki Nonaka⁴, Yukiharu Uraoka¹ (1.Nara Inst. of Sci. and Tech., 2.Delft Univ. of Tech., 3.Kyushu Univ., 4.AZ Elect. Mat.)

一般セッション(口頭講演)

[12a-D1-1~12] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年3月12日(木) 09:00 〜 12:15 D1 (16-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

[12a-D1-1] 高速回転式ミストCVD法により形成したZnO薄膜

〇田之上博信¹、和田祥平¹、横山裕太郎¹、谷口卓矢¹、山本真也¹、中村昭平¹、中良弘^1,³、永岡昭二^2,³、中村有水^1,³ (1.熊大工, 2.熊本県産技センター, 3.熊本有機センター)

09:15 〜 09:30

△ [12a-D1-2] 高周波熱プラズマ法による窒素ドープ酸化亜鉛ナノ粒子の生成

〇(DC)平儀野雄斗¹、田中暁巳²、竹内浩²、竹内啓²、藤田恭久¹ (1.島根大院総理, 2.竹内電機)

09:30 〜 09:45

△ [12a-D1-3] MOCVD法を用いて成長したNドープZnO膜のアニール効果

〇中浦拓也^1,³、原田善之³、王剣宇¹、長田貴弘¹、関口隆史¹、知京豊裕¹、鈴木摂²、石垣隆正³、角谷正友¹ (1.NIMS., 2.COMMET, 3.法政大)

09:45 〜 10:00

[12a-D1-4] 反応性プラズマ蒸着法によって作製したGa添加ZnO薄膜における構造特性への酸素ガス流量及びGa添加量の効果

〇寺迫智昭¹、野本淳一²、牧野久雄²、白方祥¹、山本哲也² (1.愛媛大院理工, 2.高知工科大総研)

10:00 〜 10:15

[12a-D1-5] c面サファイア上V添加ZnO極薄膜配向性の成膜温度依存性

〇渡部晃弘¹、千葉博²、川島知之^1,²、鷲尾勝由^1,² (1.東北大工, 2.東北大院工)

10:15 〜 10:30

[12a-D1-6] c面とa面サファイア基板上V添加ZnO薄膜配向性の成膜温度依存性

〇千葉博¹、渡部晃弘²、川島知之¹、鷲尾勝由¹ (1.東北大院工, 2.東北大工)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[12a-D1-7] UHVスパッタ法により成長したZnO層の大気アニール処理

〇(M1)松久健司¹、佐久間大樹¹、三好佑弥¹、水野愛¹、篠田宏之¹、六倉信喜¹ (1.東京電機大工)

11:00 〜 11:15

[12a-D1-8] 窒素添加結晶化法によるc面サファイア基板上へのZnO膜の作製：歪み緩和におけるバッファー層結晶粒密度の影響

井手智章¹、松島宏一¹、清水僚太¹、山下大輔¹、徐鉉雄¹、古閑一憲¹、白谷正治¹、〇板垣奈穂^1,² (1.九州大学, 2.JSTさきがけ)

11:15 〜 11:30

△ [12a-D1-9] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(3)：浅い不純物に関する考察

〇山崎芳樹¹、古澤健太郎¹、岩橋咲弥¹、小島一信¹、秩父重英¹ (1.東北大多元研)

11:30 〜 11:45

△ [12a-D1-10] 水熱合成ZnOターゲットを用いたZnO薄膜のヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシー(4)：遷移金属不純物に関する考察

〇(B)岩橋咲弥¹、山崎芳樹¹、小島一信¹、古澤健太郎¹、上殿明良²、秩父重英¹ (1.東北大多元研, 2.筑波大物理工)

11:45 〜 12:00

△ [12a-D1-11] Mg_xZn_1-xO/ZnOヘテロ構造における面内Mg分布の評価と制御

〇打田正輝¹、ジョセフフォルソン¹、瀬川勇三郎²、小塚裕介¹、塚﨑敦^3,⁴、川﨑雅司^1,² (1.東大院工, 2.理研CEMS, 3.東北大金研, 4.JSTさきがけ)

12:00 〜 12:15

[12a-D1-12] Pt/Mg_xZn_1-xO/n⁺-ZnOショットキーフォトダイオードの分光感度特性

〇遠藤治之¹、佐藤秀幸²、Belmoubarik Mohamed²、高橋強¹、野崎友大²、佐橋政司²、柏葉安兵衛³ (1.岩手県工技センタ, 2.東北大工, 3.岩手大)

一般セッション(口頭講演)

[13p-D1-1~11] 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

2015年3月13日(金) 16:15 〜 19:15 D1 (16-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:15 〜 16:30

[13p-D1-1] α-Ga₂O₃バルク単結晶の作製と構造評価

〇金子健太郎^1,²、織田真也^1,²、藤田静雄¹、人羅俊実² (1.京大院工, 2.株式会社FLOSFIA)

16:30 〜 16:45

△ [13p-D1-2] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga₂O₃の熱的安定性の熱力学的検討

〇富樫理恵¹、野村一城¹、江口千尋¹、蕗澤孝紘¹、後藤健²、村上尚¹、熊谷義直¹、倉又朗人²、山腰茂伸²、纐纈明伯¹ (1.東京農工大院工, 2.タムラ製作所)

16:45 〜 17:00

[13p-D1-3] β-Ga₂O₃基板の結晶欠陥評価(2)

〇永井哲也¹、野網健悟¹、中居克彦¹、二木登史郎¹ (1.日鉄住金テクノロジー)

17:00 〜 17:15

△ [13p-D1-4] ミストCVD法により成長したSnドープGa₂O₃薄膜の電気特性評価

〇赤岩和明¹、李三東¹、金子健太郎¹、藤田静雄¹ (1.京大院工)

17:15 〜 17:30

[13p-D1-5] 大気圧プラズマCVD法を用いた(-201)β -Ga₂O₃薄膜のホモエピタキシャル成長

〇木口拓也¹、野瀬幸則¹、上原剛²、藤村紀文¹ (1.大阪府立　大学院, 2.積水インテグレーテッドリサーチ)

休憩（17:30 〜 17:45）

17:45 〜 18:00

△ [13p-D1-6] ハライド気相成長法によるβ-Ga₂O₃基板上ホモエピタキシャル成長

〇野村一城¹、後藤健²、佐々木公平^2,³、河原克明¹、ティユクァントゥ⁴、富樫理恵¹、村上尚¹、熊谷義直¹、東脇正高³、倉又朗人²、山腰茂伸²、Bo Monemar^4,⁵、纐纈明伯¹ (1.東京農工大院工, 2.タムラ製作所, 3.情報通信研究機構, 4.東京農工大GIRO, 5.Linköping Univ.)