2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.3 絶縁膜技術

[17p-F206-1~17] 13.3 絶縁膜技術

2018年3月17日(土) 13:45 〜 18:15 F206 (61-206)

上野 智雄(農工大)、大田 晃生(名大)

15:00 〜 15:15

[17p-F206-6] GeO2/Ge界面特性に与えるHigh-k層の影響

和知 祥太郎1、岩崎 好孝1、上野 智雄1、北原 義典1、山田 浩史1、並木 美太郎1 (1.農工大院工)

キーワード:ゲルマニウム