[19a-G203-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[19a-G203-2] InSnZnO MOSFET の高電子移動度の起源

〇斉藤 信美¹、上田 知正¹、手塚 勉¹、池田 圭司¹ (1.東芝メモリ)

キーワード：酸化物半導体