15:50 〜 16:20 [20p-E301-6] n型GaNのICP-RIEにおけるバイアスパワー制御によるプラズマダメージの低減 〇山田 真嗣1,2,3、櫻井 秀樹1,2,3、長田 大和3、中村 敏幸3、上村 隆一郎3、須田 淳1,2、加地 徹1 (1.名大未来研、2.名大院工、3.アルバック半電研)