[20p-E301-1~9] Etching Technology for Nitride Semiconductors: recent progress in high-controllable and low-damaging process

[20p-E301-6] Reduction of plasma-induced damage in ICP-RIE of n-type GaN by controlling bias power

〇Shinji Yamada^1,2,3, Hideki Sakurai^1,2,3, Yamato Osada³, Toshiyuki Nakamura³, Ryuichiro Kamimura³, Jun Suda^1,2, Tetsu Kachi¹ (1.Nagoya Univ. IMaSS, 2.Nagoya Univ., 3.ULVAC ISET)

Keywords:GaN, ICP-RIE

GaN系トレンチゲート縦型パワー半導体デバイスを実現する上で、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング(ICP-RIE)を用いた低ダメージかつ高レートなトレンチ加工ドライエッチング技術を確立することは必要不可欠である。我々は、この技術の確立を目指して、バイアスパワー(P_bias)制御によるドライエッチング技術を開発し、その効果をn型GaNのショットキー特性から詳細に検証した。