[19p-PA3-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-PA3-2] 圧電高分子膜(P(VDF-TrFE))をゲート絶縁膜に用いたZnO-FETにおけるチャネル構造依存性

〇岡山 琢哉¹、松本 周作¹、古川 昭雄¹ (1.東理大理工)

キーワード：強誘電体、半導体、P(VDF-TrFE)

本研究は、FET のゲート絶縁膜に圧電体材料を用いる事により、圧力検出を行うセンサ部とFETを一体化した接触センサデバイスの作製を目的としている。これまで、Alドープ ZnO 層チャネル上に直接P(VDF-TrFE)ゲート絶縁膜を成膜したFETの特性を報告してきたが、本報告では、チャネル上にバンドギャップがやや広いMgZnOを積層させ、その上にP(VDF-TrFE)ゲート絶縁膜を成膜したFETにおけるチャネル電流の変化等の特性について報告する。