[17p-E302-1~8] ディスプレイの次のキラーアプリをねらえ！酸化物半導体の最前線

[17p-E302-4] 極微細 c-axis aligned crystalline In-Ga-Zn Oxide FETとその応用

〇國武 寛司¹、小山 潤¹、津田 一樹¹、齋藤 暁¹、奥野 直樹¹、大貫 達也¹、高橋 正弘¹、井坂 史人¹、神保 安弘¹、宮入 秀和¹、方堂 涼太¹、笹川 慎也¹、伊藤 俊一¹、荒澤 亮¹、元吉 良輔¹、和久田 真弘¹、村川 努¹、八窪 裕人¹、松嵜 隆徳¹、加藤 清¹、山﨑 舜平¹ (1.株式会社 半導体エネルギー研究所)

キーワード：酸化物半導体、配線工程、ディスプレイ

集積回路の更なる高集積化を達成すべく、我々はc-axis aligned crystalline In-Ga-Zn Oxide FET(OSFET)の開発を行っている。OS FETは、低温プロセスにて試作が可能であるため、既存のCMOSプロセスの配線工程(BEOL)に作製可能である。そのため、安価に微細化を達成する可能性を秘めたデバイスである。ディスプレイでは広い範囲で普及されているが、現在、LSI向けでも多く注目されているデバイス材料である。本講演では、OS FETの可能性や微細化に対する技術、また応用例を紹介する。​本講演で述べるc-axis aligned crystalline In-Ga-Zn Oxide FETが一刻でも早く普及し、各所の低消費電力化の鍵となることを願う。