[2I18-20] パルス中性子源システムの利用とその改良

[2I19] 高速TOF分析ができない半導体デバイスの中性子エネルギー依存SEU断面積の推定

*瀬邊 智己¹、佐藤 博隆¹、加美山 隆¹、岩下 秀徳²、木内 笠²、広島 芳春²、古坂 道弘¹、鬼柳 善明¹ (1. 北大、2. NTT)

キーワード：中性子ソフトエラー、中性子エネルギースペクトル、エネルギー依存SEU断面積、陽子サイクロトロン中性子源、中性子発生標的

宇宙線中性子に起因して半導体デバイスに生じるSEU等のソフトエラーが問題となっている。そこで様々なデバイスについてソフトエラー発生率（SER）を推定することは重要である。SERの推定には入射中性子のエネルギースペクトルと中性子エネルギー依存のSEU断面積の情報が必要となる。SEU断面積のエネルギー依存性はTOF法によって測定できるが、MeV以上の測定はエラー検出速度の制限からFPGA以外では測定できない。そこで、入射中性子のスペクトルを様々変化させることで得た複数のSERから、エネルギー依存のSEU断面積を推定する手法を考案した。この手法を用いてSRAMのSEU断面積を推定するために、18 MeV陽子サイクロトロン中性子源システムで中性子発生標的の材料を複数変更して入射中性子スペクトルを変化させた。それらをSRAMに照射することでSERを複数実測し、SRAMのSEU断面積の推定を行った。