[INP] Interactive Session, Short Presentation

[INP-21i] Enhanced Mobility in Solution-Processed Short-Channel Organic Transistors: Reduction of Contact Resistances using Spin-Coated MoO₃ Injection Layers

*Tomoya Aiba¹, Takashi Nagase^1,2, Takashi Kobayashi^1,2, Yuichi Sadamitsu³, Hiroyoshi Naito^1,2 (1. Osaka Pref. Univ. , 2. RIMED, 3. Nippon Kayaku Co., Ltd.)

有機電界効果トランジスタ (OFET) のディスプレイ、論理回路等への応用には、チャネル長 5 µm の短チャネル素子での実効移動度の向上が重要な指標となる。本研究では、正孔ドープ層として用いられるMoO₃注入層を塗布形成しUV/O₃処理を施すことで、短チャネルトップゲートdioctylbenzothienobenzothiophene (C₈-BTBT) OFETにおいて、飽和移動度は最高で1.4 cm²/Vs、線形移動度では2.7 cm²/Vsの高い実効移動度が得られることが分かった。また、接触抵抗は0.4 kΩcm (V_G = -30 V) となり、素子作製後1か月以上経過しても安定動作が可能であることが分かった。