Imaging Conference JAPAN 2018

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インタラクティブセッション

[INP] インタラクティブセッション ショートプレゼンテーション

日本画像学会、日本写真学会、日本印刷学会　合同セッション

2018年6月21日(木) 10:00 〜 11:36 大ホール (けやき会館 一階)

座長(1):大川 祐輔(千葉大学)、長谷部 恵(富士ゼロックス株式会社)
座長(2):星野 勝義(千葉大学)、宇山 晴夫(凸版印刷株式会社)

11:12 〜 11:15

[INP-21i] 溶液プロセスによる短チャネル有機トランジスタの高移動度化 : MoO3塗布注入層を用いた接触抵抗低減

*饗庭 智也1、永瀬 隆1,2、小林 隆史1,2、貞光 雄一3、内藤 裕義1,2 (1. 大阪府立大学、2. 大阪府立大分子エレクトロニックデバイス研、3. 日本化薬(株))

有機電界効果トランジスタ (OFET) のディスプレイ、論理回路等への応用には、チャネル長 5 µm の短チャネル素子での実効移動度の向上が重要な指標となる。本研究では、正孔ドープ層として用いられるMoO3注入層を塗布形成しUV/O3処理を施すことで、短チャネルトップゲートdioctylbenzothienobenzothiophene (C8-BTBT) OFETにおいて、飽和移動度は最高で1.4 cm2/Vs、線形移動度では2.7 cm2/Vsの高い実効移動度が得られることが分かった。また、接触抵抗は0.4 kΩcm (VG = -30 V) となり、素子作製後1か月以上経過しても安定動作が可能であることが分かった。