一般講演

[G] 高温プロセス・物性・熱力学

2019年9月12日(木) 09:30 〜 11:45 A会場 (一般教育棟C棟2階C22)

座長:松浦宏行(東京大学)、林幸(東京工業大学)

9:30～松浦宏行
10:45～林幸
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と村上記念賞受賞講演は5～10分、技術開発賞は質疑時間なし）

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09:30 〜 10:00

[1] [学術貢献賞受賞講演] 見かけの熱伝導率からみた鋼の連続鋳造用モールドフラックスの緩冷却機構

*須佐匡裕¹ (1. 東工大物質)

10:00 〜 10:15

[2] 溶鉄の表面張力に対する雰囲気ガス種の影響

*樋口龍輝¹、高橋駿¹、小澤俊平¹ (1. 千葉工大)

10:15 〜 10:30

[3] On the growth behavior of the grooves at grain/grain/melt triple phase boundary during solidification of multicrystalline silicon

*荘履中¹、前田健作¹、志賀敬次¹、森戸春彦¹、藤原航三¹ (1. 東北大金研)

休憩（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[4] カルシウム脱酸反応に関わるギブズエネルギーの測定

*関一郎¹ (1. 津山高専)

11:00 〜 11:15

[5] The effect of grain boundaries on instability at the crystal/melt interface during the unidirectional growth of Si

*胡寛侃¹、前田健作¹、志賀敬次¹、森戸春彦¹、藤原航三¹ (1. 東北大金研)

11:15 〜 11:30

[6] X線イメージングを利用したCrMnFeCoNiハイエントロピー合金の固液界面での分配係数のその場測定

*中野敬太¹、鳴海大翔²、安田秀幸² (1. 京大工（院生）、2. 京大工)

11:30 〜 11:45

[7] The orientation relationship between Si₃N₄ and Si in polysilicon

*Pengting Li¹, Shuhui Tong¹, Yi Tan¹ (1. Dalian University of Technology)

一般講演

[G] 高温プロセス・物質創製

2019年9月12日(木) 13:00 〜 14:55 A会場 (一般教育棟C棟2階C22)

座長:鈴木寿穂(日本製鉄株式会社)、友重竜一(崇城大学)

13:00～鈴木寿穂
14:10～友重竜一
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と村上記念賞受賞講演は5～10分、技術開発賞は質疑時間なし）

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13:00 〜 13:15

[8] CS₂ガス硫化によるSiS₂の作成

八島悠太^1,2、*鈴木亮輔¹、金子拓実¹、Eltefat Ahmadi¹、渡邉貴史³、野上玄器³ (1. 北大工（院生）、、2. JR東海、3. 三菱ガス化学)

13:15 〜 13:30

[9] テルミット反応によるTi-V-Al合金の合成

*真田雅文¹、秋山友宏²、能村貴宏²、阿部圭佑²、Ade Kurniawan² (1. 北海道大工（院生）、2. 北海道大工)

13:30 〜 13:45

[10] 溶液燃焼合成によるNd₂Fe₁₄Bの合成

*永田将偉¹、井野川人姿²、友重竜一² (1. 崇城大工(院生)、2. 崇城大工)

13:45 〜 14:00

[11] 真空蒸留による塩化亜鉛の精製

*上村源¹、松浦宏行² (1. 東大新領域（院生）、2. 東大工)

休憩（14:00 〜 14:10）

14:10 〜 14:25

[12] 希土類しゅう酸塩からの溶媒抽出液の調製方法の検討

*山田泰子¹、佐伯智則¹、古澤克佳²、星裕之² (1. 日立製作所、2. 日立金属)

14:25 〜 14:40

[13] Study on the mechanism of enhancing B removal from Si by adding Zr via Si-Cu solvent refining

*Ren Yongsheng¹、Morita Kazuki¹ (1. Department of Materials Engineering, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo)

14:40 〜 14:55

[14] 電子ビーム積層造形(EBM)によるNi基合金材料物性と造形性との相関

*久米井康志¹、青柳健大²、千葉晶彦² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大金研)

一般講演

[G] 高温プロセス・凝固

2019年9月12日(木) 15:10 〜 17:35 A会場 (一般教育棟C棟2階C22)

座長:大野宗一(北海道大学)、大出真知子(国立研究開発法人　物質・材料研究機構)

15:10～大野宗一
16:20～大出真知子
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と村上記念賞受賞講演は5～10分、技術開発賞は質疑時間なし）

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15:10 〜 15:25

[15] フェーズフィールド法によるAg添加量の異なるはんだ合金の組織予測

*瀬川正仁¹、野本祐春¹ (1. 伊藤忠テクノソリューションズ株式会社)

15:25 〜 15:40

[16] Al-Cu合金の凝固過程の等軸晶組織に及ぼす冷却速度の影響

*河原崎琢也¹、加藤勇一¹、鳴海大翔²、安田秀幸² (1. 京大工（院生）、2. 京大工)

15:40 〜 15:55

[17] 時間分解X線CTを用いたAl-Cu合金固液共存体の変形の三次元解析

*中田匠¹、吉村卓磨¹、鳴海大翔²、安田秀幸² (1. 京大工（院生）、2. 京大工)

15:55 〜 16:10

[18] ニューラルネットワークによるPhase-field法の界面濃度計算の代替

*大出真知子¹、北野萌一¹、大沼郁雄¹ (1. 物材機構)

休憩（16:10 〜 16:20）

16:20 〜 16:35

[19] レーザ照射によるAl-15mass%Cu合金の急速溶解・急速凝固における組織形成過程のその場観察

*末丸直也¹、清水竜之介¹、森下浩平²、宮原広郁²、杉山明³、安田秀幸⁴ (1. 九大工（院生）、2. 九大工、3. 大産大工、4. 京大工)

16:35 〜 16:50

[20] 共焦点走査型レーザー顕微鏡を用いた高クロム鋳鉄におけるデンドライト形成過程の評価

*芳賀大泰¹、河合秀樹²、大石義彦²、楠本賢太²、柴田浩幸³、埜上洋³ (1. 室蘭工大（院生）、2. 室蘭工大、3. 東北大多元研)

16:50 〜 17:05

[21] 4D-CTにより観察されたAl-Cu合金デンドライトを用いた凝固形態の解析

*加藤勇一¹、河原崎琢也¹、鳴海大翔²、安田秀幸² (1. 京大工（院生）、2. 京大工)

17:05 〜 17:20

[22] GaSbのデンドライト成長速度と双晶界面間隔の関係

*志賀敬次¹、河野優人¹、前田健作¹、森戸春彦¹、藤原航三¹ (1. 東北大金研)

17:20 〜 17:35

[23] ZrC添加Mo-Si-B合金の凝固パスの検討

*錦織司¹、大塚誠¹、福山博之¹、吉見享祐² (1. 東北大　多元研、2. 東北大　院　工)

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[3] On the growth behavior of the grooves at grain/grain/melt triple phase boundary during solidification of multicrystalline silicon

[4] カルシウム脱酸反応に関わるギブズエネルギーの測定

[5] The effect of grain boundaries on instability at the crystal/melt interface during the unidirectional growth of Si

[6] X線イメージングを利用したCrMnFeCoNiハイエントロピー合金の固液界面での分配係数のその場測定

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[9] テルミット反応によるTi-V-Al合金の合成

[10] 溶液燃焼合成によるNd₂Fe₁₄Bの合成

[11] 真空蒸留による塩化亜鉛の精製

[12] 希土類しゅう酸塩からの溶媒抽出液の調製方法の検討

[13] Study on the mechanism of enhancing B removal from Si by adding Zr via Si-Cu solvent refining

[14] 電子ビーム積層造形(EBM)によるNi基合金材料物性と造形性との相関

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[15] フェーズフィールド法によるAg添加量の異なるはんだ合金の組織予測

[16] Al-Cu合金の凝固過程の等軸晶組織に及ぼす冷却速度の影響

[17] 時間分解X線CTを用いたAl-Cu合金固液共存体の変形の三次元解析

[18] ニューラルネットワークによるPhase-field法の界面濃度計算の代替

[19] レーザ照射によるAl-15mass%Cu合金の急速溶解・急速凝固における組織形成過程のその場観察

[20] 共焦点走査型レーザー顕微鏡を用いた高クロム鋳鉄におけるデンドライト形成過程の評価

[21] 4D-CTにより観察されたAl-Cu合金デンドライトを用いた凝固形態の解析

[22] GaSbのデンドライト成長速度と双晶界面間隔の関係

[23] ZrC添加Mo-Si-B合金の凝固パスの検討

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