一般講演

[G] 強相関電子系材料

2020年3月17日(火) 13:00 〜 14:30 J会場 (西講義棟2_2階W621)

座長:藤原康文(大阪大学)

※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と外国人特別講演は5～10分）

+全てマイスケジュールに登録

13:00 〜 13:15

[225] 偶発クラック一個と小クラック多数が混在する被覆型超伝導テープの臨界電流、n値および両者の相関に及ぼす偶発クラックサイズと電圧端子間距離の影響

*落合庄治郎¹、奥田浩司² (1. 京大構造材料元素戦略研究拠点、2. 京大工)

13:15 〜 13:30

[226] 超伝導線材用ブロンズ合金の高温機械特性

*谷口博康¹、水田泰成²、水田泰次³、菊池章弘⁴、宮沢靖幸⁵ (1. 大阪合金、2. 大阪合金、3. 大阪合金、4. 物材機構、5. 東海大)

13:30 〜 13:45

[227] 三元系ブロンズ合金を用いた内部補強Nb₃Sn線材の臨界電流特性における圧縮応力依存性

*菱沼良光¹、小黒英俊²、谷口博康³、淡路智⁴、菊池章弘⁵ (1. 核融合科学研究所、2. 東海大学、3. (株)大阪合金工業所、4. 東北大金研、5. 物質・材料研究機構)

13:45 〜 14:00

[228] Nb₃Sn超伝導線材へのMo添加効果

*肥村康治¹、永澤諒紀¹、小野寺裕紀¹、鈴木春菜¹、小黒英俊¹ (1. 東海大学)

14:00 〜 14:15

[229] Hf添加したNb3Sn超伝導線材における元素分布状況

永澤諒紀¹、小野寺裕紀¹、肥村康冶¹、*小黒英俊¹ (1. 東海大)

14:15 〜 14:30

[230] RHQT法Nb₃Alテープ導体の研究

*菊池章弘¹、山田喬平^1,5、飯嶋安男¹、菱沼良光²、高畑一也²、三戸利行²、今川信作²、濱口真司²、土屋清澄³、王旭東³、大内徳人³、小黒英俊⁴、高尾智明⁵ (1. 物材機構、2. 核融合研、3. 高エ研、4. 東海大、5. 上智大)

一般講演

[G] 光・電磁波関連材料

2020年3月18日(水) 10:30 〜 11:30 J会場 (西講義棟2_2階W621)

座長:石川史太郎(愛媛大学)

※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と外国人特別講演は5～10分）

+全てマイスケジュールに登録

10:30 〜 11:00

[231] [功績賞受賞講演] 二次元層状半導体の液相成長とテラヘルツ非破壊検査応用

*田邉匡生¹ (1. 東北大院工)

11:00 〜 11:15

[232] In溶媒からのIn_xGa_1-xSe混晶の溶液成長と高効率THz波発生

*佐藤陽平¹、唐超¹、渡辺克也¹、中嶋真優¹、田邉匡生²、小山裕² (1. 東北大工(学生)、2. 東北大工)

11:15 〜 11:30

[233] テラヘルツ偏光子の作製と評価

*田邉匡生¹、阿部健太²、宮浦潤³、小山裕¹ (1. 東北大院工、2. 東北大工（学生）、3. 東北大院工（院生）)

一般講演

[G] 半導体・誘電体材料

2020年3月19日(木) 09:00 〜 11:25 J会場 (西講義棟2_2階W621)

座長:田邉匡生(東北大学)、住友弘二(兵庫県立大)

9:00～田邊匡生
10:00～住友弘二
※表示の講演時間には質疑応答時間も含みます。
（質疑応答時間５分、基調講演と外国人特別講演は5～10分）

+全てマイスケジュールに登録

09:00 〜 09:15

[234] 逆抵抗変化型Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造変化

*畑山祥吾¹、イシュアン¹、フォンスポール^2,3、齊藤雄太²、コロボフアレキサンダー^2,4、小林啓介⁵、進藤怜史¹、安藤大輔¹、須藤祐司¹ (1. 東北大学、2. AIST、3. JASRI、4. ゲルツェン大、5. 高知大学)

09:15 〜 09:30

[235] MnTe薄膜の高速結晶多形変化メカニズム

*森竣祐¹、安藤大輔²、須藤祐司² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

09:30 〜 09:45

[236] 層状カルコゲナイドpn接合の作製とその界面および電子状態

*齊藤雄太¹、Fons Paul¹、牧野孝太郎¹、Mitrofanov Kirill¹、上杉文彦²、竹口雅樹²、Kolobov Alexander³、富永淳二¹ (1. 産総研ナノエレ、2. 物材機構、3. 産総研ナノエレ(現所属: Herzen大))

09:45 〜 10:00

[237] 二次元層状半導体MoS₂の摩擦誘起成膜における基板の効果

*大崎淳也¹、田邊匡生²、小山裕² (1. 東北大工（学生）、2. 東北大工)

休憩（10:00 〜 10:10）

10:10 〜 10:25

[238] 耐酸化性を発現するGe添加鉄酸化物薄膜における添加濃度の最適化

*阿部世嗣¹ (1. 電磁研)

10:25 〜 10:40

[239] 金属元素(Mg,Cu)添加α-Fe₂O₃のテラヘルツ帯屈折率測定

*荒木航¹、田邉匡生²、阿部世嗣³、小山裕² (1. 東北大工(院生)、2. 東北大工、3. 電磁研)

10:40 〜 10:55

[240] 腐食生成物の非接触評価に使用するテラヘルツ光

*塩田晃央¹、田邉匡生²、小山裕² (1. 東北大工（院生）、2. 東北大工)

10:55 〜 11:10

[241] 層状半導体InSeの低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性

*唐超¹、佐藤陽平¹、渡辺克也¹、大崎淳也¹、田邉匡生¹、小山裕¹ (1. 東北大学)

11:10 〜 11:25

[242] アルカノールアミンで表面処理したCu₆₄Oナノ粒子・Cuクラスターの合成および焼結特性

*西本大夢^1,2、徳永智春³、米澤徹² (1. 住友金属鉱山株式会社、2. 北海道大学、3. 名古屋大学)

セッション一覧

9.電気・磁気関連材料 » 電気・電子・光関連材料

[G] 強相関電子系材料

[225] 偶発クラック一個と小クラック多数が混在する被覆型超伝導テープの臨界電流、n値および両者の相関に及ぼす偶発クラックサイズと電圧端子間距離の影響

[226] 超伝導線材用ブロンズ合金の高温機械特性

[227] 三元系ブロンズ合金を用いた内部補強Nb₃Sn線材の臨界電流特性における圧縮応力依存性

[228] Nb₃Sn超伝導線材へのMo添加効果

[229] Hf添加したNb3Sn超伝導線材における元素分布状況

[230] RHQT法Nb₃Alテープ導体の研究

[G] 光・電磁波関連材料

[231] [功績賞受賞講演] 二次元層状半導体の液相成長とテラヘルツ非破壊検査応用

[232] In溶媒からのIn_xGa_1-xSe混晶の溶液成長と高効率THz波発生

[233] テラヘルツ偏光子の作製と評価

[G] 半導体・誘電体材料

[234] 逆抵抗変化型Cr₂Ge₂Te₆相変化材料の局所構造変化

[235] MnTe薄膜の高速結晶多形変化メカニズム

[236] 層状カルコゲナイドpn接合の作製とその界面および電子状態

[237] 二次元層状半導体MoS₂の摩擦誘起成膜における基板の効果

[238] 耐酸化性を発現するGe添加鉄酸化物薄膜における添加濃度の最適化

[239] 金属元素(Mg,Cu)添加α-Fe₂O₃のテラヘルツ帯屈折率測定

[240] 腐食生成物の非接触評価に使用するテラヘルツ光

[241] 層状半導体InSeの低温液相成長とそのテラヘルツ光学特性

[242] アルカノールアミンで表面処理したCu₆₄Oナノ粒子・Cuクラスターの合成および焼結特性

認証

セッション一覧

9.電気・磁気 関連材料 » 電気・電子・光関連材料

[G] 強相関電子系材料

[G] 光・電磁波関連材料

[G] 半導体・誘電体材料

認証

9.電気・磁気関連材料 » 電気・電子・光関連材料