[S2] ワイドギャップ結晶の材料学と高温プロセッシング 2

[S2.2] 溶液法による高品質N型3インチ4H-SiC結晶の成長

*朱 燦¹、郁 万成¹、幾見 基希²、党 一帆²、安藤 圭理²、海野 高天²、原田 俊太^1,2、田川 美穂^1,2、宇治原 徹^1,2,3 (1. 名大未来研、2. 名大院工、3. 産総研GaN-OIL)

キーワード：溶液法、高品質、N型4H-SiC結晶、3イン

In this study, Sc is proved to effectively suppress hetero crystals. By adding Sc, we can obtain high quality and large size N-type SiC by solution method.