一般セッション(ポスター講演)

[17p-P8-1~7] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

2013年9月17日(火) 13:30 〜 15:30 P8 (デイヴィス記念館 )

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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13:30 〜 15:30

[17p-P8-1] p-DCFET用SiGeチャネル層の真空アニールによる歪への効果

^○櫻澤健光，須田良幸，塚本貴広 (東京農工大　院工)

13:30 〜 15:30

[17p-P8-2] 固相成長法によるCap-Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価

^○小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，星裕介²，澤野憲太郎²，白木靖寛² (山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研²)

13:30 〜 15:30

△ [17p-P8-3] 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出

^○山堀俊太¹，澤野憲太郎¹，池永英司²，白木靖寛¹，野平博司¹ (都市大工¹，高輝度光科学研²)

13:30 〜 15:30

[17p-P8-4] 高品質圧縮歪みSiGe/Si(110)の形成とnMOSFETの電子移動度評価

^○井門賢輔¹，小幡智幸¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，澤野憲太郎²，白木靖寛² (山梨大クリスタル研¹，東京都市大総研²)

13:30 〜 15:30

[17p-P8-5] 伸張歪みSi/SiGe/Si(110)薄膜構造の形成と評価

^○三井翔平 (山梨大クリスタル研)

13:30 〜 15:30

△ [17p-P8-6] 赤外線集中加熱炉を用いたSiGe単結晶厚膜の作製

^○（M1C）土屋匡範，長尾雅則，綿打敏司，田中功 (山梨大クリスタル研)

13:30 〜 15:30

[17p-P8-7] 走査型電子顕微鏡を用いた貫通刃状転位起因の4H-SiC(0001)表面ステップテラス構造の観察

^○梶野智規，久津間保徳，芦田晃嗣，大谷昇，金子忠昭 (関学大理工)

一般セッション(口頭講演)

[18a-B4-1~10] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

2013年9月18日(水) 09:15 〜 12:00 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:15 〜 09:30

[18a-B4-1] 導電膜/ガラス上における非晶質 Ge 薄膜の Al 誘起成長

^○中沢宏紀¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆²，末益崇¹ (筑波大院¹，名大院²)

09:30 〜 09:45

△ [18a-B4-2] 絶縁基板上における大粒径Ge(111)薄膜の極低温(200˚C)Al誘起成長

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，大谷直生¹，宇佐美徳隆^{2, 3}，末益崇^{1, 3} (筑波大院数理物質¹，名大院工²，JST-CREST³)

09:45 〜 10:00

[18a-B4-3] Al 誘起成長Si 層の結晶方位・粒径に与える成長温度効果

^○沼田諒平¹，都甲薫¹，宇佐美徳隆^{2, 3}，末益崇^{1, 3} (筑波大院数理物質¹，名大院工²，JST-CREST³)

10:00 〜 10:15

[18a-B4-4] a-Ge/Sn/半導体構造における自己組織的溶融帯成長

^○木下侑紀，松村亮，佐道泰造，宮尾正信 (九大・院システム情報)

10:15 〜 10:30

[18a-B4-5] a-GeSn/c-Si構造の固液共存アニールによる極低温SiGe(Sn)成長

^○知北大典，松村亮，木下侑紀，甲斐友樹，佐道泰造，宮尾正信 (九大院システム情報)

10:30 〜 10:45

[18a-B4-6] a-GeSn/絶縁膜構造の固液共存アニールによる大粒径Ge(Sn)成長

^○甲斐友樹，知北大典，松村亮，佐道泰造，宮尾正信 (九大院システム情報)

休憩　（10:45 〜 11:00）

11:00 〜 11:15

△ [18a-B4-7] 横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定

^○松江将博¹，安武裕輔²，深津晋²，細井卓治¹，志村孝功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，東大院総合（駒場）²)

11:15 〜 11:30

△ [18a-B4-8] 貼り合わせ法により作製した歪みGOI構造の電気特性

^○長嶋智典¹，勝俣洋典¹，遠藤冴己¹，山田晋也²，浜屋宏平²，宮尾正信²，白木靖寛¹，澤野憲太郎¹ (都市大総研¹，九大院シス情²)

11:30 〜 11:45

[18a-B4-9] 圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究

^○（M2）酒井翔一朗¹，古川洋志¹，有元圭介¹，山中淳二¹，中川清和¹，宇佐美徳隆²，星裕介²，澤野憲太郎³，白木靖寛³ (山梨大クリスタル研¹，名大²，東京都市大総研³)

11:45 〜 12:00

[18a-B4-10] 選択的イオン注入法による高Ge組成一軸歪みSiGeの形成

^○米倉瑛介¹，荘司雄太郎¹，中川清和²，白木靖寛¹，澤野憲太郎¹ (東京都市大¹，山梨大²)

一般セッション(口頭講演)

[18p-B4-1~12] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

2013年9月18日(水) 13:30 〜 16:45 B4 (TC2 1F-106)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:30）

13:30 〜 13:45

△ [18p-B4-1] CVDでのGe選択成長における(311)面上成長速度の温度依存性

^○水野泰孝，河合直行，和田一実 (東京大工)

13:45 〜 14:00

[18p-B4-2] 高平行度Ｘ線マイクロビームによる光導波路用Ｇｅ結晶の結晶性評価

^○尾上貴洋¹，硲和輝¹，福田修平¹，津坂佳幸^1,2，高野秀和^1,2，篭島靖^1,2，水野泰孝³，石川靖彦³，和田一実³，松井純爾² (兵庫県立大院物質理¹，兵庫県立大産学連携機構²，東京大院工³)

14:00 〜 14:15

[18p-B4-3] Si基板上に直接成長させたGeのRBS測定(II)

^○河野健一郎¹，朴成鳳²，石川靖彦²，和田一実² (物材機構量子ビームU¹，東大工学部²)

14:15 〜 14:30

[18p-B4-4] Sn導入による非晶質SiGe混晶薄膜の低温結晶化

^○山羽隆¹，荒平貴光¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振　PD²)

14:30 〜 14:45

[18p-B4-5] 過飽和状態制御による多結晶Si_1-xSn_x/絶縁膜の大粒径成長

^○黒澤昌志^1,2，荒平貴光¹，山羽隆¹，田岡紀之¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名大院工¹，学振PD²)

14:45 〜 15:00

[18p-B4-6] スパッタリング法を用いたGe_1-x-ySn_xC_y混晶薄膜の結晶成長および結晶性評価

^○寺澤謙吾，原田知典，山羽隆，中塚理，田岡紀之，財満鎭明 (名古屋大院工)

休憩　（15:00 〜 15:15）

15:15 〜 15:30

[18p-B4-7] 高Sn組成Ge_1-xSn_xエピタキシャル層の光学特性

^○保崎航也¹，小山剛史¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，中塚理¹，岸田英夫¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員(PD)²)

15:30 〜 15:45

[18p-B4-8] GOI基板上に形成したGe_1-xSn_xエピタキシャル層の電気特性評価

^○大村拓磨¹，浅野孝典¹，黒澤昌志^1,2，田岡紀之¹，坂下満男¹，中塚理¹，財満鎭明¹ (名古屋大院工¹，学振特別研究員（PD)²)

15:45 〜 16:00

[18p-B4-9] 高Ge濃度SGOIワイヤーの異方性ひずみ評価

^○臼田宏治¹，池田圭司¹，小瀬村太亮²，富田基裕²，小椋厚志²，手塚勉¹ (産総研GNC¹，明大理工²)

16:00 〜 16:15

△ [18p-B4-10] RFスパッタリング法を用いた結晶Geナノ粒子膜の堆積

^○（M1）市田大樹¹，内田儀一郎¹，徐鉉雄¹，鎌滝晋礼³，板垣奈穂^1,2，古閑一憲¹，白谷正治¹ (九大シス情¹，PRESTO²，九大基幹教育院³)

16:15 〜 16:30

[18p-B4-11] EXAFS法によるSi結晶中のMnドーピング層形成過程の研究‐シリサイド化の検出‐

^○三木一司^1,2，村田晃一^1,2，新田清文³，宇留賀朋哉³，寺田靖子³，日塔光一¹，坂田修身¹ (物材機構¹，筑波大院数物²，JASRI³)

16:30 〜 16:45

▲ [18p-B4-12] Segregation of Ge in B and Ge codoped Czochralski-Si crystal growth

^○Arivanandhan Mukannan¹，後藤頼良²，藤原航三²，宇田聡²，稲富裕光³，早川泰弘¹，小長井誠⁴ (静岡大電子研¹，東北大金研²，宇宙開発研究機構³，東京工大⁴)

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[17p-P8-1~7] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[17p-P8-1] p-DCFET用SiGeチャネル層の真空アニールによる歪への効果

[17p-P8-2] 固相成長法によるCap-Si/SiGe/Si(110)ヘテロ構造の形成と界面準位及び移動度の評価

△ [17p-P8-3] 高空間分解能HXPESによるSiGe価電子帯への一軸歪みの影響の検出

[17p-P8-4] 高品質圧縮歪みSiGe/Si(110)の形成とnMOSFETの電子移動度評価

[17p-P8-5] 伸張歪みSi/SiGe/Si(110)薄膜構造の形成と評価

△ [17p-P8-6] 赤外線集中加熱炉を用いたSiGe単結晶厚膜の作製

[17p-P8-7] 走査型電子顕微鏡を用いた貫通刃状転位起因の4H-SiC(0001)表面ステップテラス構造の観察

[18a-B4-1~10] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

[18a-B4-1] 導電膜/ガラス上における非晶質 Ge 薄膜の Al 誘起成長

△ [18a-B4-2] 絶縁基板上における大粒径Ge(111)薄膜の極低温(200˚C)Al誘起成長

[18a-B4-3] Al 誘起成長Si 層の結晶方位・粒径に与える成長温度効果

[18a-B4-4] a-Ge/Sn/半導体構造における自己組織的溶融帯成長

[18a-B4-5] a-GeSn/c-Si構造の固液共存アニールによる極低温SiGe(Sn)成長

[18a-B4-6] a-GeSn/絶縁膜構造の固液共存アニールによる大粒径Ge(Sn)成長

△ [18a-B4-7] 横方向液相成長によって作製したGOI構造のフォトルミネッセンス測定

△ [18a-B4-8] 貼り合わせ法により作製した歪みGOI構造の電気特性

[18a-B4-9] 圧縮歪みSi/Si_1-XC_X/Si(100)ヘテロ構造における結晶欠陥形成過程の研究

[18a-B4-10] 選択的イオン注入法による高Ge組成一軸歪みSiGeの形成

[18p-B4-1~12] 15.5 IV族結晶.IV-IV族混晶

△ [18p-B4-1] CVDでのGe選択成長における(311)面上成長速度の温度依存性

[18p-B4-2] 高平行度Ｘ線マイクロビームによる光導波路用Ｇｅ結晶の結晶性評価

[18p-B4-3] Si基板上に直接成長させたGeのRBS測定(II)

[18p-B4-4] Sn導入による非晶質SiGe混晶薄膜の低温結晶化

[18p-B4-5] 過飽和状態制御による多結晶Si_1-xSn_x/絶縁膜の大粒径成長

[18p-B4-6] スパッタリング法を用いたGe_1-x-ySn_xC_y混晶薄膜の結晶成長および結晶性評価

[18p-B4-7] 高Sn組成Ge_1-xSn_xエピタキシャル層の光学特性

[18p-B4-8] GOI基板上に形成したGe_1-xSn_xエピタキシャル層の電気特性評価

[18p-B4-9] 高Ge濃度SGOIワイヤーの異方性ひずみ評価

△ [18p-B4-10] RFスパッタリング法を用いた結晶Geナノ粒子膜の堆積

[18p-B4-11] EXAFS法によるSi結晶中のMnドーピング層形成過程の研究‐シリサイド化の検出‐

▲ [18p-B4-12] Segregation of Ge in B and Ge codoped Czochralski-Si crystal growth