一般セッション(口頭講演)

[16p-B3-1~10] 17.1 成長技術

2013年9月16日(月) 16:00 〜 18:30 B3 (TC2 1F-105)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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16:00 〜 16:15

[16p-B3-1] EB蒸着法により作製したPt触媒を用いた高真空アルコールガスソース法によるSWNT低温成長

^○近藤弘基¹，Ghosh Ranajit¹，成塚重弥¹，丸山隆浩¹，飯島澄男^1,2 (名城大理工¹，産総研²)

16:15 〜 16:30

[16p-B3-2] カーボンナノチューブ成長時における欠陥生成のその場TEM観察

^○吉田秀人，竹田精治 (阪大産研)

16:30 〜 16:45

[16p-B3-3] 温度勾配制御[STEP]成長で作製したCNT膜の評価

^○川端章夫，村上智，二瓶瑞久，横山直樹 (産総研GNC)

16:45 〜 17:00

△ [16p-B3-4] 高密度CNT成長用触媒の化学状態の加熱時間および下地金属依存性

^○（PC）高嶋明人¹，泉雄大¹，池永英司¹，室隆桂之¹，川端章夫²，村上智²，二瓶瑞久²，横山直樹² (JASRI¹，産総研²)

17:00 〜 17:15

△ [16p-B3-5] ヒートビーム熱CVD法によるカーボンナノチューブおよび縦/横方向多層グラフェン成長

^○（D）伊藤和幸，澤部亮介，粟野祐二 (慶大院理工)

17:15 〜 17:30

[16p-B3-6] レーザ照射援用アルコールCVD法によるSi基板上のCNT成長

^○梅田俊一¹，赤羽浩一²，外林秀之¹ (青山学院大¹，情報通信機構²)

17:30 〜 17:45

[16p-B3-7] Fe₃O₄@SiO₂型コアシェル粒子を触媒とした垂直配向CNTの合成におけるシェル厚さの影響

^○菅原丈博，大橋正明，金杉治，栗山直樹，串田正人 (千葉大院工)

17:45 〜 18:00

[16p-B3-8] 超紡績性MWCNTアレイ成長におけるアセトン添加効果

^○中村彰夫¹，佐藤仁³，中西太宇人³，加藤隆³，冨田恭一³，中野貴之¹，三村秀典²，井上翼¹ (静大院工¹，静大電研²，JNC³)

18:00 〜 18:15

[16p-B3-9] 新規触媒前駆体として液体供給源を用いたCNT成長の開発

^○臼田祐希¹，菊地貴裕¹，佐藤仁³，中西太宇人³，加藤隆³，冨田恭一³，三村秀典²，中野貴之¹，井上翼¹ (静大院工¹，静大電研²，JNC³)

18:15 〜 18:30

[16p-B3-10] 液面下CVD法によるナノカーボン物質の合成

^○横井裕之¹，大坪一輝²，平山翔太² (熊本大院自然¹，熊本大工²)

一般セッション(口頭講演)

[17a-B1-1~11] 17.1 成長技術

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 B1 (TC2 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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09:00 〜 09:15

△ [17a-B1-1] マイクロ波プラズマCVD法で合成したグラフェン膜の電気伝導特性評価とラマンマッピング評価

^○沖川侑揮^1,2，加藤隆一²，谷将広²，山田貴壽^1,2，石原正統^1,2，長谷川雅考^1,2 (産総研¹，TASC²)

09:15 〜 09:30

[17a-B1-2] Synthesis of Few Layers Graphene Domains on Copper Substrates by Surface Wave Assisted Microwave Plasma CVD

^○Hare Aryal，Madhu Kayastha，内田秀雄，脇田紘一，梅野正義 (中部大)

09:30 〜 09:45

[17a-B1-3] 超低炭素濃度プラズマCVD法による高品質グラフェン合成

^○加藤隆一¹，津川和夫¹，石原正統^1,2，沖川侑揮^1,2，山田貴壽^1,2，長谷川雅考^1,2 (TASC¹，産総研ナノチューブ²)

09:45 〜 10:00

[17a-B1-4] フタロシアニンを用いたグラフェンへの窒素ドープにおける鉄原子の効果

^○山田寛人，小幡誠司，斉木幸一朗 (東大)

10:00 〜 10:15

[17a-B1-5] RFプラズマを利用した酸化グラフェンへの窒素ドーピング

^○赤田圭史¹，田中弘成²，寺澤知潮²，今村岳¹，小幡誠司¹，斉木幸一朗^1,2 (東大院新領域¹，東大院理²)

10:15 〜 10:30

[17a-B1-6] 溶液プロセスによる硫黄ドープグラフェンの作製

^○田中弘成¹，小幡誠司²，斉木幸一朗^1,2 (東大院理¹，東大院新領域²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[17a-B1-7] SiC表面分解法によるグラフェン成長の分子動力学シミュレーション

^○井口綾佑¹，河村貴宏¹，鈴木泰之¹，井上仁人²，寒川義裕²，柿本浩一² (三重大院工¹，九大応力研²)

11:00 〜 11:15

[17a-B1-8] SiC(0001)面上第1層グラフェン成長初期過程とステップの役割

^○影島博之¹，日比野浩樹¹，山口浩司¹，永瀬雅夫² (NTT物性基礎研¹，徳島大工²)

11:15 〜 11:30

[17a-B1-9] SiC(000-1)上グラフェンのTEMによる面内構造解析

^○乗松航¹，黒木淳¹，楠美智子² (名大院工¹，名大エコ研²)

11:30 〜 11:45

[17a-B1-10] 表面構造制御による均一単層グラフェン成長

^○中島健志，奥村俊夫，田尾拓人，呉龍錫，井口宗明，永瀬雅夫 (徳島大工)

11:45 〜 12:00

△ [17a-B1-11] SiC上グラフェンのダメージフリー転写

^○田邉真一，古川一暁，日比野浩樹 (ＮＴＴ物性基礎研)

一般セッション(口頭講演)

[17p-B1-1~13] 17.1 成長技術

2013年9月17日(火) 13:00 〜 16:30 B1 (TC2 1F-101)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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昼食　（12:00 〜 13:00）

13:00 〜 13:15

[17p-B1-1] グラフェンCVD成長の光学顕微鏡観察

^○寺澤知潮¹，斉木幸一朗^1,2 (東大院理¹，東大院新領域²)

13:15 〜 13:30

▲ [17p-B1-2] 大気圧CVD法による固体炭素源を用いた多結晶Cu箔上へのグラフェン成長

^○Subash Sharma，Golap Kalita，Remi Papon，Emre Ayhan，平野遼，種村眞幸 (名工大)

13:30 〜 13:45

[17p-B1-3] Cu単結晶上におけるグラフェン生成機構

^○小幡誠司¹，田中弘成²，斉木幸一朗^1,2 (東大新領域¹，東大院理²)

13:45 〜 14:00

[17p-B1-4] Ru(0001)表面に成長したグラフェンの凹凸構造 Ⅱ

^○（P）村田祐也，鈴木哲，前田文彦，日比野浩樹 (NTT物性基礎研)

14:00 〜 14:15

[17p-B1-5] エピタキシャル触媒薄膜を用いた多層グラフェン合成と触媒依存性

^○近藤大雄，中野美尚，周波，久保田一郎，高橋慎，佐藤元伸，林賢二郎，佐藤信太郎，横山直樹 (産総研GNC)

14:15 〜 14:30

▲ [17p-B1-6] CVD法による銀箔上へのグラフェン合成とその耐食性

^○Muhammed Emre Ayhan，Kalita Golap，Sharma Subash，Shinde Sachin，種村眞幸 (名工大)

14:30 〜 14:45

[17p-B1-7] 液体ガリウムを触媒としたグラフェンの成長初期過程

^○（M2）梶原裕哉^1,2，董天辰^1,2，伊藤直人²，村上勝久^1,2，藤田淳一^1,2 (TIMS¹，筑波大数理²)

14:45 〜 15:00

[17p-B1-8] 遷移金属上グラフェンのポテンシャルエネルギー表面の基板依存性

^○豊田健治，能澤克弥，松川望，吉井重雄 (パナソニック)

15:00 〜 15:15

[17p-B1-9] フラーレン薄膜からの透明導電膜の形成

^○新井龍一¹，皆川貴裕²，葛巻徹² (東海大院¹，東海大工²)

15:15 〜 15:30

[17p-B1-10] 低温でグラス基板上に直接グラフェン膜の成長

^○Sudip Adhikari，内田秀雄，脇田紘一，梅野正義 (中部大)

15:30 〜 15:45

[17p-B1-11] 金属・炭素ハイブリッド膜から合成した転写レスグラフェンとその電気特性

^○大島久純¹，桶結憲二¹，細川徳一¹，日比野浩樹² (デンソー基礎研究所¹，NTT物性基礎研²)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

△ [17p-B1-12] レーザアニールによる絶縁表面上へのグラフェン合成

^○越田啓介，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大産研)

16:15 〜 16:30

△ [17p-B1-13] 二成分金属触媒を用いたグラフェンの層数制御

^○竹崎悠一郎¹，辻正治^1,2，吾郷浩樹^1,2 (九大院総理工¹，九大先導研²)

一般セッション(口頭講演)

[18a-B2-9~11] 17.1 成長技術

2013年9月18日(水) 11:15 〜 12:00 B2 (TC2 1F-102)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

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11:15 〜 11:30

[18a-B2-9] カーボンナノコイルの高収率化に向けた合成条件の改善

^○丸山皓司¹，須田善行¹，田上英人¹，滝川浩史¹，植仁志²，清水一樹³，梅田良人⁴ (豊橋技大¹，東海カーボン²，湘南合成樹脂製作所³，東邦ガス⁴)

11:30 〜 11:45

[18a-B2-10] 浸炭鉄の人工的引き延ばしによる新規CNFの成長

^○飯田栄治^1,2，村上勝久^1,2，日方威³，大久保総一郎³，藤田淳一^1,2 (筑波大数理¹，TIMS²，住友電工³)

11:45 〜 12:00

▲ [18a-B2-11] 色素増感太陽電池光カソード用カーボンの有機廃物からの合成

^○Karthikeyan Rajan，Navaneethan Mani，Archana Jayaram，Arivanandhan Mukannan，小山忠信，早川泰弘 (静岡大電子研)

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[16p-B3-1~10] 17.1 成長技術

△ [16p-B3-4] 高密度CNT成長用触媒の化学状態の加熱時間および下地金属依存性

△ [16p-B3-5] ヒートビーム熱CVD法によるカーボンナノチューブおよび縦/横方向多層グラフェン成長

[17a-B1-1~11] 17.1 成長技術

△ [17a-B1-1] マイクロ波プラズマCVD法で合成したグラフェン膜の電気伝導特性評価とラマンマッピング評価

△ [17a-B1-11] SiC上グラフェンのダメージフリー転写

[17p-B1-1~13] 17.1 成長技術

▲ [17p-B1-2] 大気圧CVD法による固体炭素源を用いた多結晶Cu箔上へのグラフェン成長

▲ [17p-B1-6] CVD法による銀箔上へのグラフェン合成とその耐食性

△ [17p-B1-12] レーザアニールによる絶縁表面上へのグラフェン合成

△ [17p-B1-13] 二成分金属触媒を用いたグラフェンの層数制御

[18a-B2-9~11] 17.1 成長技術

▲ [18a-B2-11] 色素増感太陽電池光カソード用カーボンの有機廃物からの合成