一般セッション(口頭講演)

[17a-C8-1~12] 11.1 基礎物性

2013年9月17日(火) 09:15 〜 12:30 C8 (TC3 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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09:15 〜 09:30

[17a-C8-1] REBa₂Cu₄O₈単結晶の常圧下合成および三軸磁場配向

^○堀井滋¹，山木桃子²，古田守²，土井俊哉¹ (京大院エネ科¹，高知工大環境理工²)

09:30 〜 09:45

[17a-C8-2] 銅酸化物超伝導体の超音波歪み効果

^○信清翔¹，長野琢磨¹，鶴田一樹¹，美藤正樹^1,3，松本要^1,3，原裕²，竹屋浩幸²，高野義彦^2,3 (九工大工¹，物材機構²，JST-ALCA³)

09:45 〜 10:00

[17a-C8-3] YbBa2Cu4O8超伝導薄膜の一軸性圧縮効果

^○美藤正樹^{1, 3}，今給黎匠¹，松井英明¹，松本要^{1, 3}，吉田隆^{2, 3} (九工大工¹，名大工²，JST-ALCA³)

10:00 〜 10:15

[17a-C8-4] 第一原理計算に基づく高圧力下での銅酸化物超伝導体の物性の解析

^○（M1）和崎省伍，堀出朋哉，美藤正樹，松本要 (九工大)

10:15 〜 10:30

[17a-C8-5] MOD法により作製したBi2212薄膜の超伝導揺らぎ伝導率特性―短波長揺らぎを考慮したd波超伝導に基づく解析―

^○森夏樹¹，石橋隆幸² (小山高専¹，長岡技科大²)

休憩　（10:30 〜 10:45）

10:45 〜 11:00

[17a-C8-6] MgB₂超伝導バルク磁石の電磁特性

^○岸尾光二¹，山本明保^1,3，杉野翔¹，岩瀬和至¹，下山淳一¹，石原篤²，赤坂友幸²，富田優² (東大¹，鉄道総研²，JST さきがけ³)

11:00 〜 11:15

[17a-C8-7] MgB2超電導バルク磁石の捕捉磁場の位置依存性

^○石原篤¹，赤坂友幸¹，富田優¹，山本明保^2,3，杉野翔²，岸尾光二² (鉄道総研¹，東大²，さきがけ³)

11:15 〜 11:30

[17a-C8-8] Agを添加したYBa₂Cu₄O₈の超伝導特性

^○山田容士，舩木修平，中山文也，坂上誠治 (島根大総理工)

11:30 〜 11:45

[17a-C8-9] (Yb,Ca)Ba₂Cu₃O₆におけるT_c > 92 Kの超伝導化の試み

^○千葉宏樹，金鍵，加藤雅恒，野地尚，小池洋二 (東北大工)

11:45 〜 12:00

[17a-C8-10] 無限層構造LaNiO₂作製に向けた高品位ペロブスカイトLaNiO₃薄膜の作製

^○池田愛¹，真部高明²，内藤方夫¹ (農工大¹，産総研²)

12:00 〜 12:15

[17a-C8-11] 無限層構造Sr_1-xLa_xCuO₂(x≦0.05)薄膜の抵抗率異常

^○七尾美子，池田愛，内藤方夫 (農工大工)

12:15 〜 12:30

[17a-C8-12] Electron doped cuprates with a positive Hall coefficient

Yoshiharu Krockenberger，Bennett Eleazer，入江宏，三橋将也，^○山本秀樹 (NTT物性基礎研)

一般セッション(口頭講演)

[17p-C8-1~17] 11.1 基礎物性

2013年9月17日(火) 13:45 〜 18:15 C8 (TC3 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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昼食　（12:30 〜 13:45）

13:45 〜 14:00

△ [17p-C8-1] T_c=24Kの高濃度ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの電子構造

^○（PC）岡崎宏之¹，脇田高徳²，園山純生²，濱田貴裕²，橘高朋子²，村岡祐治²，横谷尚睦²，室隆桂之³，中村哲也³，栗原槙一郎⁴，川原田洋⁴，山口尚秀¹，竹屋浩幸¹，高野義彦¹ (物材機構¹，岡大院自然²，JASRI/SPring-8³，早大理工⁴)

14:00 〜 14:15

△ [17p-C8-2] 水素化したYBa₂Cu₃O_7-δH_xの超伝導

^○柳生穂高，老田智博，加藤雅恒，野地尚，小池洋二 (東北大工)

14:15 〜 14:30

△ [17p-C8-3] 高圧合成法によるSr₂Ca_(n-1)Cu_nO_2n+2+δ(n=3-7)の作製

^○青葉知弥，鈴木常生，中山忠親，末松久幸，新原皓一 (長岡技科大)

14:30 〜 14:45

△ [17p-C8-4] d¹正方格子を有する新規超伝導体BaTi₂Sb₂O

^○矢島健¹，中野晃佑¹，竹入史隆¹，小野俊雄²，細越裕子²，松下能孝³，James Hester⁴，小林洋治¹，陰山洋¹ (京大院工¹，阪大府理²，NIMS³，ANSTO⁴)

14:45 〜 15:00

[17p-C8-5] 新超伝導体BaTi₂Bi₂OおよびBaTi₂Pn₂O (Pn = As, Sb, Bi)の電子相図

^○矢島健¹，中野晃佑¹，竹入史隆¹，野崎保将¹，James Hester²，山本隆文¹，辻成希³，金廷恩³，藤原明比古³，小林洋治¹，陰山洋¹ (京大院工¹，ANSTO²，JASRI³)

15:00 〜 15:15

[17p-C8-6] 新規層状Mnニクタイドの開拓と物性

^○渡邊創史¹，荻野拓¹，片木優¹，シブシン¹，山本明保¹，下山淳一¹，竹下直²，岸尾光二¹ (東大工¹，産総研²)

15:15 〜 15:30

[17p-C8-7] (Ca,Pr)Fe₂As₂単結晶の育成と共ドープ効果

^○岡田朋之，荻野拓，焼田裕之，山本明保，岸尾光二，下山淳一 (東大院工)

15:30 〜 15:45

△ [17p-C8-8] (Ca,RE)-Fe-As系新規層状化合物の合成と超伝導特性

^○焼田裕之¹，荻野拓¹，岡田朋之¹，Shiv Jee Singh¹，Alberto Sala¹，山本明保¹，岸尾光二¹，藤平哲也¹，幾原雄一¹，藤久裕司²，後藤義人²，永崎洋²，下山淳一¹ (東大院工¹，産総研²)

休憩　（15:45 〜 16:00）

16:00 〜 16:15

[17p-C8-9] 新規合成法による鉄系超伝導体A_xFe_2-ySe₂(A=アルカリ金属, 希土類元素)

^○（PC）岡崎宏之¹，Ventsislav Mishev^1,2，竹屋浩幸¹，出口啓太^1,3，出村郷志^1,3，Saleem Denholme¹，原裕^1,3，山木拓馬^1,3，山口尚秀¹，高野義彦^1,3 (物材機構¹，Vienna Univ.²，筑波大³)

16:15 〜 16:30

[17p-C8-10] 高圧下における(Ba_1–xLa_x)Fe₂As₂エピタキシャル薄膜の臨界温度上昇

^○平松秀典^1,2，片瀬貴義³，佐藤光¹，神谷利夫^1,2，細野秀雄^1,2,3 (東工大応セラ研¹，東工大元素戦略研究センター²，東工大フロンティア研究機構³)

16:30 〜 16:45

[17p-C8-11] 分子線エピタキシー成長による窒化鉄薄膜の作製

^○上原浩二，武田力丸，内藤方夫 (農工大工)

16:45 〜 17:00

△ [17p-C8-12] 磁気顕微法によるFe(Se,Te)薄膜の局所臨界電流密度分布の評価

^○細谷築¹，東川甲平¹，井上昌睦¹，木須隆暢¹，Valeria Braccini²，Emilio Bellingeri²，Marina Putti² (九大¹，CNR-SPIN²)

17:00 〜 17:15

▲ [17p-C8-13] Visualization of trapped fluxoids in FeTe_0.5Se_0.5 thin film deposited on a CaF₂ single crystalline substrate

^○Gracia Kim¹，井上昌睦¹，今村和孝¹，東川甲平¹，木須隆暢¹，Valeria Braccini²，Emilio Bellingeri²，Marina Putti² (九大¹，CNR-SPIN Genova²)

17:15 〜 17:30

▲ [17p-C8-14] Tetragonal - FeS a high-pressure study

^○Denholme Saleem，出村郷志，岡崎宏之，藤岡正弥，原裕，出口啓太，山木拓馬，山口尚秀，竹屋浩幸，高野義彦 (物質・材料研究機構)

17:30 〜 17:45

[17p-C8-15] NdO(F)BiS₂超伝導体単結晶のフラックス育成

^○長尾雅則¹，出村郷志²，出口啓太²，三浦章¹，綿打敏司¹，武井貴弘¹，高野義彦²，熊田伸弘¹，田中功¹ (山梨大院クリスタル研¹，物材機構²)

17:45 〜 18:00

[17p-C8-16] (Nb,Ti)1212系Eu(Sr,Ba)₂Cu₂(Nb,Ti)O₈の超伝導化の試み

^○佐藤真之介，金鍵，加藤雅恒，野地尚，小池洋二 (東北大院工)

18:00 〜 18:15

[17p-C8-17] Hg_0.9Re_0.1Ba₂CaCu₂O_x超伝導バルク体及び薄膜の作製プロセス

^○古寺航太郎¹，堀出朋哉¹，松本要¹，美藤正樹¹，吉田隆²，淡路智³，高野義彦⁴ (九工大¹，名大²，東北大³，物材機構⁴)

一般セッション(口頭講演)

[18p-C8-1~12] 11.1 基礎物性

2013年9月18日(水) 14:00 〜 17:15 C8 (TC3 2F-201)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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14:00 〜 14:15

[18p-C8-1] 強磁性CoFe を挿入したNbN ジョセフソン接合の電気的特性

^○高木涼真，宮脇哲也，植田研二，浅野秀文 (名大院工)

14:15 〜 14:30

[18p-C8-2] 微小Josephson接合列におけるBloch振動と電流プラトー

^○（M2）出口智明¹，鹿取俊介¹，Srinivas Gandrothula²，水柿義直¹，島田宏¹ (電通大院　先進理工¹，電通大院　量子物質²)

14:30 〜 14:45

[18p-C8-3] 高強度テラヘルツ波による超伝導非線形応答の計測

^○川山巌¹，張彩虹¹，金飚兵²，村上博成¹，陈健²，吴培亨²，斗内政吉¹ (阪大レーザー研¹，南京大²)

14:45 〜 15:00

[18p-C8-4] 固有ジョセフソン接合を利用したボルテックスフローデバイス

^○鈴木悠太，八巻和宏，入江晃亘 (宇都宮大院工)

15:00 〜 15:15

[18p-C8-5] 4端子メサ構造固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ発振

^○本杉勇人，田村晃一，八巻和宏，入江晃亘 (宇都宮大院工)

15:15 〜 15:30

[18p-C8-6] 固有ジョセフソン接合のTHz発振特性に対する接合数の影響

^○田村晃一，及川大，八巻和宏，入江晃亘 (宇都宮大院工)

休憩　（15:30 〜 15:45）

15:45 〜 16:00

[18p-C8-7] Bi₂Sr₂CaCu₂O_y固有接合から放射されるテラヘルツ発振周波数の接合数及び面積依存性

^○小瀧侑央¹，西方翼²，川上彰³，加藤孝弘²，安井寛治²，鈴木常生¹，中山忠親¹，末松久幸¹，新原晧一¹ (長岡技科大極限ｾﾝﾀｰ¹，長岡技科大電気系²，情報通信研究機構³)

16:00 〜 16:15

[18p-C8-8] Pb置換Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δ固有ジョセフソン接合からのテラヘルツ波発振に関する検討

^○（M2）前田圭穂，吉岡佑介，平山伸夫，辻本学，掛谷一弘 (京大院工)

16:15 〜 16:30

[18p-C8-9] 高温超伝導THz波発振デバイスに生じるhot-spotの位置制御

^○渡辺千春，南英俊，関本俊佑，中出蔵馬，山本卓，北村健郎，石田和也，浅沼健太郎，安居昴紀，柏木隆成，門脇和男 (筑波大数理物質)

16:30 〜 16:45

[18p-C8-10] 高温超伝導テラヘルツ波発振素子からの30\muW級発振

^○関本俊佑¹，南英俊¹，渡辺千春¹，中出蔵馬¹，北村健郎¹，石田和也¹，浅沼健太郎¹，安居昴紀¹，山本卓²，柏木隆成¹，門脇和男¹ (筑波大数理物質¹，物質材料研究機構²)

16:45 〜 17:00

[18p-C8-11] Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+δテラヘルツ発振素子の電流注入調節による特性制御

^○辻本学，中川裕也，吉岡佑介，亀井裕太，前田圭穂，水田慎吾，掛谷一弘 (京大院工)

17:00 〜 17:15

[18p-C8-12] 高温超伝導THz波発振素子による液体試料の精密光吸収係数測定

^○中出蔵馬¹，南英俊¹，関本俊佑¹，渡辺千春¹，北村健郎¹，石田和也¹，浅沼健太郎¹，安居昂紀¹，山本卓²，柏木隆成¹，門脇和男¹ (筑波大数理物質¹，物質材料研究機構²)

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11．超伝導 » 11.1 基礎物性

[17a-C8-1~12] 11.1 基礎物性

[17p-C8-1~17] 11.1 基礎物性

△ [17p-C8-1] Tc=24Kの高濃度ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの電子構造

△ [17p-C8-2] 水素化したYBa2Cu3O7-δHxの超伝導

△ [17p-C8-3] 高圧合成法によるSr2Ca(n-1)CunO2n+2+δ(n=3-7)の作製

△ [17p-C8-4] d1正方格子を有する新規超伝導体BaTi2Sb2O

△ [17p-C8-8] (Ca,RE)-Fe-As系新規層状化合物の合成と超伝導特性

△ [17p-C8-12] 磁気顕微法によるFe(Se,Te)薄膜の局所臨界電流密度分布の評価

▲ [17p-C8-13] Visualization of trapped fluxoids in FeTe0.5Se0.5 thin film deposited on a CaF2 single crystalline substrate

▲ [17p-C8-14] Tetragonal - FeS a high-pressure study

[18p-C8-1~12] 11.1 基礎物性

△ [17p-C8-1] T_c=24Kの高濃度ホウ素ドープ超伝導ダイヤモンドの電子構造

△ [17p-C8-2] 水素化したYBa₂Cu₃O_7-δH_xの超伝導

△ [17p-C8-3] 高圧合成法によるSr₂Ca_(n-1)Cu_nO_2n+2+δ(n=3-7)の作製

△ [17p-C8-4] d¹正方格子を有する新規超伝導体BaTi₂Sb₂O

▲ [17p-C8-13] Visualization of trapped fluxoids in FeTe_0.5Se_0.5 thin film deposited on a CaF₂ single crystalline substrate