2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15.結晶工学 » 15.6 IV族系化合物

[17a-B3-1~11] 15.6 IV族系化合物

2013年9月17日(火) 09:00 〜 12:00 B3 (TC2 1F-105)

10:30 〜 10:45

[17a-B3-6] 4H-SiC熱酸化膜の薄膜領域(<10 nm)における直線的な成長過程の検証

菊地リチャード平八郎1,喜多浩之1,2 (東大院工1,JST さきがけ2)

キーワード:熱酸化膜,SiC,酸化過程