PDF ダウンロード スケジュール 17 いいね! 2 11:15 〜 11:30 [17a-B3-9] 4H-SiCの熱酸化速度の理論的研究 -Si面とC面の酸化速度の相違- ○(BC)丸山翔太郎1,遠藤健太郎1,長川健太1,神谷克政1,白石賢二1,2 (筑波大物理1,名大院工2) キーワード:第一原理計算,酸化,炭化硅素