[17p-B2-1~14] 17.4 デバイス応用

△ [17p-B2-4] 原子層堆積法を用いたカーボンナノチューブメモリの作製

^○清家康平，大野恭秀，前橋兼三，井上恒一，松本和彦 (阪大　産研)

キーワード：カーボンナノチューブ,メモリ,FET