[17p-B3-1~17] 15.6 IV族系化合物

[17p-B3-7] 電子線照射を利用した4H-SiC中の深い準位を形成する欠陥構造の同定

^○加藤正史¹，中根浩貴¹，市村正也¹，大島武² (名工大¹，日本原子力研究開発機構²)

キーワード：深い準位,4H-SiC,PICTS