[17p-B4-1~18] 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17p-B4-10] 「講演奨励賞受賞記念講演」（15分）アモルファスInGaZnO薄膜トランジスタにおけるゲート絶縁膜中のフッ素が信頼性に与える影響

^○山﨑はるか¹，石河泰明¹，上岡義弘¹，浦川哲¹，藤原将喜²，高橋英治²，安東靖典²，浦岡行治¹ (奈良先端大¹，日新電機²)

キーワード：酸化物半導体,薄膜トランジスタ,フッ素