[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-B5-17] 極薄AlO_x層によるHigh-k/Ge界面反応抑制とEOT=0.56 nmの実現

^○田中亮平¹，秀島伊織¹，箕浦佑也¹，吉越章隆²，寺岡有殿²，細井卓治¹，志村考功¹，渡部平司¹ (阪大院工¹，原子力機構²)

キーワード：High-k,Ge,EOT