[17p-B5-1~21] 13.3 絶縁膜技術

△ [17p-B5-8] プラズマ後窒化によるHfO₂/Al₂O₃/SiGeゲートスタックのEOTスケーリングに関する検討

^○（M2C）韓在勲¹，張睿¹，長田剛規²，畑雅彦²，竹中充¹，高木信一¹ (東大院工¹，住友化学²)

キーワード：SiGe,MOS界面,ECRプラズマ後窒化