PDF ダウンロード スケジュール 5 いいね! 0 13:30 〜 15:30 [17p-P7-15] InN/GaNドット多重積層構造に向けたGaNキャップ層成長条件の検討 ○徳田英俊,折原操,八木修平,土方泰斗,矢口裕之 (埼玉大院理工) キーワード:量子ドット,InN,MBE