[17p-P7-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-P7-2] (110)Si基板上GaNのMOVPE成長におけるAlN中間層成長温度の影響

^○名和健吾¹，光成正¹，本田善央¹，山口雅史^1,2，天野浩^1,2 (名大院工¹，赤﨑記念研究センター²)

キーワード：GaN,(110)Si,AlN