2013年第74回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13．半導体A（シリコン） » 13.2 半導体表面

[18p-C1-1~13] 13.2 半導体表面

2013年9月18日(水) 13:00 〜 16:30 C1 (TC3 1F-101)

14:00 〜 14:15

[18p-C1-5] Si(100)表面平坦化によるMOSダイオードの電気特性に関する検討

○工藤聡也，韓大熙，大見俊一郎 (東工大総理工)

キーワード：Si表面ラフネス