[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[18p-P10-5] プラズマ酸化GeO_x界面層挿入によるひずみGeナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善

^○池田圭司，上牟田雄一，守山佳彦，小野瑞城，臼田宏治，小田穣，入沢寿史，古瀬喜代恵，手塚勉 (産総研GNC)

キーワード：Ge,MOSFET,Nanowire