[18p-P10-1~13] 13.6 Siデバイス／集積化技術

[18p-P10-7] Si 上のIII-V ナノワイヤチャネルの性能向上と酸化膜厚依存性

^○冨岡克広^1,2，吉村正利¹，福井孝志¹ (北大院情報科学および量子集積センター¹，JSTさきがけ²)

キーワード：nanowire,transistor,FET